ICP-MS 常见的干扰有哪些？

1、同量异位离子干扰

来源：两种不同元素的质量几乎相同的同位素所造成的干扰。

如：133In+——133Cd+
        115In+——115Sn+
          40Ar+——40Ca+

消除：另选测定同位素、采用高分辨质谱仪、计算机软件校正。

2、多原子分子离子干扰

来源：在离子的引出过程中，由等离子体中的组分与基体或大气中的组分相互作用形成的多原子离子所引起的干扰。

如：14N2+——28Si+
        14N16O1H+——31P+

消除：扣空白校正、反应/碰撞池技术、另选分析同位素。

3、氧化物和氢氧化物离子干扰

来源：由分析物、基体组分、溶剂和等离子气体等形成的氧化物和氢氧化物所引起的干扰。

如：62TiO+——62Ni+
        65TiO+——65Cu+

消除：优化实验条件如功率、载气流速、去溶进样、反应/碰撞池技术、校正方法等。

4、仪器和试样制备所引入的杂质离子干扰

来源：采样锥和分离锥材料中溅出的金属离子以及试剂和水中微量杂质离子所造成的干扰。

如：镍锥中溅射出的Ni+约为2 ng/mL;
酸和去离子水中的Cu+、Zn+为ng/mL级

消除：降低等离子体的点位、使用超纯试剂和水、使用硝酸溶解固体（因为氮的电离电位高，其分子离子相当弱）

5、基体效应：试样中各成分对分析元素测量的总效应。

来源：低电离能元素的电离抑制了待测元素的电离，以及提升量和雾化效率不同影响分析物的电离和ICP温度等所引起的干扰。

消除：稀释、基体匹配、标准加入、内标法或同位素稀释等。